2016年1月28日 · 晶体硅片在制作生产过程中导致局部漏电主要原因为1）通过PN结的漏电流；2）沿电池边缘的表面漏电流；3）金属化处理后沿着微观裂纹或晶界形成的微观通道的漏电流。
"烧穿"现象指的是一种通常发生在栅线或栅线边缘区域 的点状漏电现象,通常表现为在电池片电学性能测试过程中 检测到较为明显的反向漏电流, 在.12V的反向负载条件下漏 电流大于1A。
2019年6月17日 · 多晶硅太阳能电池所使用的多晶硅材料往往因铸造过程中温度、应力等斱面控制不佳,导致晶体缺陷形成。 本文通过研究"黑丝"电池片以及点状烧穿电池片这两种在电学性能上表现为严重的反向线性漏电的异常电池片,对比观察其异常所处位置的表面及其解理断面的微观结构,太阳能电池缺陷在不经过 EL缺陷检测仪 的检测情况下发现导致这两种反向漏电现象出现的
2018年11月9日 · 摘要：多晶硅太阳能电池所使用的多晶硅材料往往因铸造过程中温度、应力等斱面控制不佳,导致晶体缺陷形成。 本文通过研究"黑丝"电池片以及点状烧穿电池片这两种在电学性能上表现为严重的反向线性漏电的异常电池
2016年1月29日 · 从晶体硅太阳电池生产工艺流程看,以下几个因素与电池片漏电有关：1）刻蚀不彻底面或未刻蚀；2）点状烧穿；3）印刷擦片或漏浆。对上述三方面进行实验研究,在研究过程中发现除了以上三种漏电原因外,还有Si3N4颗粒、多晶晶界等也会造成电池片漏电。
晶体硅片在制作生产过程中导致局部漏电主要原因为1）通过PN结的漏电流；2）沿电池边缘的表面漏电流；3）金属化处理后沿着微观裂纹或晶界形成的微观通道的漏电流。
2000年9月1日 · 研究了材料质量和厚度对多晶硅薄膜晶体管漏电流的影响。 多晶硅层的改进（即平均晶粒尺寸的增加或晶粒内缺陷密度的降低）仅减少漏区中低电场下的漏电流。
2024年6月5日 · 在n型Cz-Si晶片上使用隧道氧化物钝化接触TOPCon太阳能电池引起了光伏PV行业更多的兴趣。然而,电池遇到饶度和边缘漏电流的问题。这些现象会导致电池的光电性能下降,如开路电压Voc、短路电流密度Jsc和填充因子FF。
本文描述了晶体硅太阳能电池片局部漏电现象,分析了晶体硅硅片及 电池生产过程中可能产生的漏电原因及预防措施。 电池生产过程中刻蚀不完 全方位或未刻蚀、点状烧穿和印刷擦片或漏浆等情况会产生漏电,严重影响电池 片的品质,另外发现 Si3N4 颗粒、多晶硅
2017年12月1日 · 晶体硅太阳能电池在制作生产过程中导致局部漏电的主要原因：1）通过PN结的漏电流；2）沿电池边缘的表面漏电流；3）金属化处理后沿着微观裂纹或晶界形成的微观通道的漏电流。